Samsung avança no desenvolvimento de memória SOM com 18 materiais de calcogeneto selecionados via simulação computacional
A Samsung anunciou uma descoberta significativa para o futuro da tecnologia de memória com sua nova abordagem computacional para Selector-Only Memory (SOM). A empresa utilizou simulações avançadas para explorar mais de 4.000 combinações de materiais de calcogeneto, restringindo-as a 18 candidatos que se mostram promissores para testes práticos, com potencial para revolucionar a próxima geração de memórias.
A tecnologia SOM é um conceito inovador que combina as características de armazenamento flash e DRAM, utilizando materiais de calcogeneto que desempenham o papel de células de memória e seletores, eliminando a necessidade de transistores. Essa configuração pode permitir dispositivos de memória mais rápidos e eficientes, aproveitando a retenção de dados do flash e a velocidade da DRAM.
No processo, a equipe de pesquisa analisou a estabilidade térmica, propriedades de ligação e comportamento elétrico dos materiais, focando em parâmetros críticos como a voltagem limite e a estabilidade da janela de memória, elementos essenciais para garantir a consistência dos estados de liga/desliga nas células de memória.
A Samsung apresentará esses resultados no International Electron Devices Meeting (IEDM) em dezembro, em São Francisco. A empresa acredita que essa abordagem computacional permitiu identificar materiais de alto desempenho que poderiam passar despercebidos em testes convencionais, um avanço promissor baseado nos desenvolvimentos de um SOM de 64 Gbit e 16 nm exibido no IEDM 2023.
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